一、固定式探傷機

1 該探傷機應該能對工件或材料按照各自規定的方法進(jìn)行探傷。

2 應在探傷機上裝有電流控制器用于調節磁化電流, 可以從0連續調節至最大值，從而獲得任何所需電流值且誤差不超過(guò)公稱(chēng)值的±10％。

3 探傷機應備有電流表，以測量每次檢驗時(shí)的電流值。電流表的刻度盤(pán)長(cháng)度應為60mm或以上，并應符合BS 89的精度等級5級(±5％)。磁化電流的公稱(chēng)波形應能在該設備上顯示，并連同顯示出該設備電流表指示電流的方式，如峰值，均方根值，平均值。

4 探傷機需配有儲液箱，盛放磁粉探傷用的磁懸液，磁懸液在使用前應安裝有電動(dòng)攪拌器充分攪動(dòng)，使磁粉均勻散布于載液中。　　

5 檢驗時(shí)應有向工件施加檢驗介質(zhì)的工具。如自動(dòng)噴液裝置或手動(dòng)噴壺

6 磁懸液供應系統中的磁性結構材料被磁化后,可能影響設備功能，應特別注意。

二、 移動(dòng)式探傷機或便攜式探傷機

1 該探傷機應能按照各自規定的方法對工件或材料進(jìn)行檢驗。

移動(dòng)式探傷機或便攜式探傷機采用高電流低電壓，備有電流表測量每次檢驗時(shí)的電流值。電流表的刻度盤(pán)長(cháng)度應為60mm或以上，并應符合BS 89的精度等級5級（±5％）。磁化電流的公稱(chēng)波形應能在該設備上顯示，并連同顯示出該設備電流表指示電流的方式，如峰值，均方根值，平均值。

2 當探傷工藝要求提供可調電流時(shí)，則該探傷機應遵照固定式探傷機的要求。

3 不帶電流表的便攜式磁軛在使用時(shí)，提升力應不小于4.5kg的等效值，對同樣的極間距，脫開(kāi)力應不小于2.25kg的等效值。

4 應按檢驗方法附表所列提供附具，如觸探頭。

三、 探傷機的校驗

1 探傷機及輔助探傷設備需最少每三個(gè)月校核一次，校驗應由能勝任的人員執行，以確保其連續有效。校驗記錄需存檔。

2 校驗探傷機電流表應和探傷機電流表具有相同的波形特性，并具有幾乎相同的工作電流范圍。校驗電流表應符合BS 89對工業(yè)級便攜式儀器的5級（±5％）精度要求，且刻度盤(pán)長(cháng)度應大于或等于80mm。設備電流表和校核電流表的刻度讀數差不應超過(guò)設備電流表的10%，且任何讀數均應在有效范圍內。3 探傷機功能試驗應由操作者在工作開(kāi)始前進(jìn)行。通過(guò)試驗應確保探傷機設備和檢驗介質(zhì)的功能均正常。

五、探傷機檢驗介質(zhì)

1 磁懸液和磁粉應符合《HBZ 72-1998 磁粉檢驗》的要求。

2 如果磁懸液二次使用或重復使用，則對總的磁粉含量的校驗應在使用前使用專(zhuān)用測量器立即進(jìn)行，或在連續使用時(shí)每隔兩天進(jìn)行。由于磁懸液會(huì )很快沉淀，因此載液和磁粉應在整個(gè)探傷工藝時(shí)間內保持充分混合。所有的校驗均應遵照《HBZ 72-1998 磁粉檢驗》進(jìn)行，且磁粉含量應符合該標準規定的范圍。

3 當磁懸液褪色或受到外來(lái)物質(zhì)污染達到一定程度,以致影響了磁懸液的正常分布和濃度，或影響了磁痕的清晰度，這時(shí)需立即廢棄或更換磁懸液。

4 不同的磁懸液不能任意混合，除非它們是同一類(lèi)型及同一技術(shù)指標，并且是由同一廠(chǎng)家生產(chǎn)的。

5 在一臺探傷機的儲液箱中循環(huán)使用的熒光磁懸液的性能應每周檢查一次，通過(guò)它和新配制的磁懸液樣品檢查某一已知的缺陷進(jìn)行對比，予以評定。

安全措施

1 防火

任何電氣設備在使用前，都需確信設備不會(huì )產(chǎn)生過(guò)熱和火花。還應注意在采用電流法時(shí)，觸頭過(guò)熱和或打弧引起氣化物著(zhù)火的危險，以及檢驗場(chǎng)所附近堆積的易燃物產(chǎn)生著(zhù)火的可能?？臻g受限時(shí)不得采用該方法，除非有足夠的通風(fēng)條件。所有的電器設備應配有適用于汽油、瓦斯及電火花的滅火裝置。

2 安全用電

所有設備，包括電源，須有接地斷電裝置。電路接地漏電電流不得超過(guò)30 mA，并應有斷開(kāi)裝置。對于便攜式設備，特別是當其有可能產(chǎn)生傷害時(shí)，則應考慮采取更嚴格的安全措施，減小斷開(kāi)裝置的漏電電流至12mA，并附裝一個(gè)接地連續監控器。

3使用黑光（UV-A）安全須知

操作人員在使用黑光源時(shí)，最主要的是應避免直接對著(zhù)光源看，這可能會(huì )造成眼球熒光。檢查裂紋形痕時(shí)，應使用濾光板，因為當紫外線(xiàn)波長(cháng)小于320 nm（1nm=10 -9m）時(shí)，紫外輻射非常有害。

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